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  • 型号: VMMK-1225-BLKG
  • 制造商: Avago Technologies
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VMMK-1225-BLKG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VMMK-1225-BLKG由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMMK-1225-BLKG价格参考。Avago TechnologiesVMMK-1225-BLKG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 2V 20mA 12GHz 11dB 8dBm 402。您可以下载VMMK-1225-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VMMK-1225-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Broadcom Limited 的型号 VMMK-1225-BLKG 属于晶体管类别中的射频 (RF) FET(场效应晶体管)或 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件专为高频、射频信号处理设计,具有低噪声、高线性度和高效能的特点。以下是其典型应用场景:

 1. 射频放大器
   - VMMK-1225-BLKG 可用于射频放大器的设计,特别是在低噪声放大器 (LNA) 中。它能够增强微弱的射频信号,同时保持较低的噪声水平,适用于无线通信系统。

 2. 无线通信设备
   - 该器件广泛应用于蜂窝基站、Wi-Fi 路由器、卫星通信设备和其他无线通信基础设施中,支持高频信号的传输与接收。

 3. 雷达系统
   - 在雷达应用中,VMMK-1225-BLKG 能够提供高增益和稳定性,适合用于信号发射与接收模块,确保精准的目标检测与跟踪。

 4. 射频开关
   - 由于其低插入损耗和高隔离度特性,该型号可以作为射频开关使用,实现不同射频路径之间的快速切换,常用于多频段通信设备。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中(如频谱分析仪、信号发生器等),VMMK-1225-BLKG 可以用于信号放大或衰减,保证测试结果的精确性。

 6. 航空航天与国防
   - 高可靠性与高性能使其成为航空航天和国防领域的重要组件,例如在导航系统、通信系统和电子对抗设备中。

 7. 物联网 (IoT) 设备
   - 在需要低功耗和高性能射频处理的物联网设备中,该型号可用于优化信号传输效率,延长设备续航时间。

 总结
VMMK-1225-BLKG 主要应用于高频射频信号处理场景,包括通信、雷达、测试测量以及航空航天等领域。其卓越的性能使其成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

AMP RFIC LNA E-PHEMT 25GHZ 0402射频JFET晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

50 mA

Id-连续漏极电流

50 mA

品牌

Avago Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies VMMK-1225-BLKG-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-1082EN

P1dB

8 dBm

产品型号

VMMK-1225-BLKG

Pd-PowerDissipation

250 mW

Pd-功率耗散

250 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5 V

Vds-漏源极击穿电压

5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V to 1 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

0402

其它名称

516-2215
VMMK-1225-BLKG-ND
VMMK1225BLKG

功率-输出

8dBm

功率耗散

250 mW

包装

散装

商标

Avago Technologies

噪声系数

1 dB

增益

11 dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

0402(1005 公制)

封装/箱体

WLP 0402

工厂包装数量

100

技术

GaAs

晶体管类型

EpHEMT

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

100

正向跨导-最小值

120 mS

漏极连续电流

50 mA

漏源电压VDS

5 V

电压-测试

2V

电压-额定

5V

电流-测试

20mA

类型

GaAs EpHEMT

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

12 GHz

额定电流

50mA

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