ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 > VMMK-1225-BLKG
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
VMMK-1225-BLKG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VMMK-1225-BLKG由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMMK-1225-BLKG价格参考。Avago TechnologiesVMMK-1225-BLKG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 2V 20mA 12GHz 11dB 8dBm 402。您可以下载VMMK-1225-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VMMK-1225-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited 的型号 VMMK-1225-BLKG 属于晶体管类别中的射频 (RF) FET(场效应晶体管)或 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件专为高频、射频信号处理设计,具有低噪声、高线性度和高效能的特点。以下是其典型应用场景: 1. 射频放大器 - VMMK-1225-BLKG 可用于射频放大器的设计,特别是在低噪声放大器 (LNA) 中。它能够增强微弱的射频信号,同时保持较低的噪声水平,适用于无线通信系统。 2. 无线通信设备 - 该器件广泛应用于蜂窝基站、Wi-Fi 路由器、卫星通信设备和其他无线通信基础设施中,支持高频信号的传输与接收。 3. 雷达系统 - 在雷达应用中,VMMK-1225-BLKG 能够提供高增益和稳定性,适合用于信号发射与接收模块,确保精准的目标检测与跟踪。 4. 射频开关 - 由于其低插入损耗和高隔离度特性,该型号可以作为射频开关使用,实现不同射频路径之间的快速切换,常用于多频段通信设备。 5. 测试与测量设备 - 在射频测试仪器中(如频谱分析仪、信号发生器等),VMMK-1225-BLKG 可以用于信号放大或衰减,保证测试结果的精确性。 6. 航空航天与国防 - 高可靠性与高性能使其成为航空航天和国防领域的重要组件,例如在导航系统、通信系统和电子对抗设备中。 7. 物联网 (IoT) 设备 - 在需要低功耗和高性能射频处理的物联网设备中,该型号可用于优化信号传输效率,延长设备续航时间。 总结 VMMK-1225-BLKG 主要应用于高频射频信号处理场景,包括通信、雷达、测试测量以及航空航天等领域。其卓越的性能使其成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | AMP RFIC LNA E-PHEMT 25GHZ 0402射频JFET晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 mA |
| Id-连续漏极电流 | 50 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies VMMK-1225-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1082EN |
| P1dB | 8 dBm |
| 产品型号 | VMMK-1225-BLKG |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 0402 |
| 其它名称 | 516-2215 |
| 功率-输出 | 8dBm |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 1 dB |
| 增益 | 11 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 0402(1005 公制) |
| 封装/箱体 | WLP 0402 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管类型 | EpHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 120 mS |
| 漏极连续电流 | 50 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 20mA |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 频率 | 12 GHz |
| 额定电流 | 50mA |