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  • 型号: VMMK-1225-BLKG
  • 制造商: Avago Technologies
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VMMK-1225-BLKG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VMMK-1225-BLKG由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMMK-1225-BLKG价格参考。Avago TechnologiesVMMK-1225-BLKG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 2V 20mA 12GHz 11dB 8dBm 402。您可以下载VMMK-1225-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VMMK-1225-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

AMP RFIC LNA E-PHEMT 25GHZ 0402射频JFET晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

50 mA

Id-连续漏极电流

50 mA

品牌

Avago Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies VMMK-1225-BLKG-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-1082EN

P1dB

8 dBm

产品型号

VMMK-1225-BLKG

Pd-PowerDissipation

250 mW

Pd-功率耗散

250 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5 V

Vds-漏源极击穿电压

5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V to 1 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

0402

其它名称

516-2215
VMMK-1225-BLKG-ND
VMMK1225BLKG

功率-输出

8dBm

功率耗散

250 mW

包装

散装

商标

Avago Technologies

噪声系数

1 dB

增益

11 dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

0402(1005 公制)

封装/箱体

WLP 0402

工厂包装数量

100

技术

GaAs

晶体管类型

EpHEMT

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

100

正向跨导-最小值

120 mS

漏极连续电流

50 mA

漏源电压VDS

5 V

电压-测试

2V

电压-额定

5V

电流-测试

20mA

类型

GaAs EpHEMT

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

12 GHz

额定电流

50mA

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