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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP3450HR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP3450HR5价格参考¥1221.98-¥1242.76。Freescale SemiconductorMRF6VP3450HR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6VP3450HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6VP3450HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF6VP3450HR5 是一款高功率射频MOSFET晶体管,属于射频功率放大器器件,广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件工作频率可达500 MHz以下,输出功率高达500W,具备优良的热稳定性和高效率,适用于需要大功率射频放大的场景。 主要应用场景包括: 1. 广播发射系统:用于AM/FM广播发射机中的射频功率放大级,提供稳定高效的信号输出,确保远距离覆盖和高质量音频传输。 2. 工业、科学和医疗(ISM)设备:在如射频加热、等离子发生器、医疗射频治疗仪等设备中,作为核心功率放大元件,支持在40.68 MHz、13.56 MHz等ISM频段高效运行。 3. 高功率HF/VHF通信系统:适用于军事通信、应急通信和业余无线电(HAM)设备,在恶劣环境下仍能保持高可靠性与线性度。 4. 雷达与电子对抗系统:在部分中低频段雷达系统中用作脉冲功率放大,满足高瞬时功率需求。 MRF6VP3450HR5采用高可靠性陶瓷封装(SOT-978),具有出色的散热性能和抗负载失配能力,适合连续波(CW)和脉冲工作模式。其高增益和良好的互调性能使其在多载波应用中表现优异。由于其高功率特性,通常需配合适当的散热设计和驱动电路使用。 总之,MRF6VP3450HR5是一款面向专业级高功率射频应用的关键器件,适用于对稳定性、输出功率和耐用性要求较高的工业与通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230射频MOSFET晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF6VP3450HR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF6VP3450HR5 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 110 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 110 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V, 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 其它名称 | MRF6VP3450HR5DKR |
| 功率-输出 | 90W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 13.193 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 封装/箱体 | NI-1230 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 110 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 系列 | MRF6VP3450H |
| 配置 | Dual Common Source |
| 闸/源击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | 10µA |