ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSP315PE6327T
Datasheet下载- 型号： BSP315PE6327T
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP315PE6327T由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP315PE6327T价格参考。InfineonBSP315PE6327T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP315PE6327T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP315PE6327T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的BSP315PE6327T是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件采用PG-SOP封装，具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于空间受限且对能效要求较高的应用。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理与负载开关，用于控制电池供电或模块供电的通断；工业控制电路中的信号切换与驱动电路；消费类电子产品中的DC-DC转换器，作为同步整流或高端/低端开关元件；以及各类低电压、中等电流的开关电源系统。 由于其P沟道特性，BSP315PE6327T在栅极驱动设计上较为简便，特别适合用于高边开关（high-side switch）应用，无需额外的电荷泵电路。同时，该MOSFET具备良好的抗静电（ESD）能力和可靠性，适用于对稳定性和耐用性有要求的环境。 综上，BSP315PE6327T广泛应用于便携设备、工业控制、电源管理和消费电子等领域，是一款高效、紧凑的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bsp315p_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ada534404 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSP315PE6327T |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 160µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 1.17A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP315PXTINDKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.17A （Ta） |
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