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  • 型号: CSD13381F4
  • 制造商: Texas Instruments
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD13381F4由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD13381F4价格参考。Texas InstrumentsCSD13381F4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 2.1A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR。您可以下载CSD13381F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD13381F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTARMOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.1 A

Id-连续漏极电流

7 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

http://www.ti.com/lit/gpn/csd13381f4

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD13381F4NexFET™

数据手册

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产品型号

CSD13381F4

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

Qg-GateCharge

1060 pC

Qg-栅极电荷

1.06 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

310 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

850 mV

Vgsth-栅源极阈值电压

850 mV

上升时间

1.5 ns

下降时间

3.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

200pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.4nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 500mA, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-PICOSTAR

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-XFDFN

封装/箱体

PicoStar-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.1A (Ta)

系列

CSD13381F4

配置

Single

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