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Datasheet下载- 型号： IRLB8721PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLB8721PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLB8721PBF价格参考。International RectifierIRLB8721PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 62A（Tc） 65W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRLB8721PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLB8721PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLB8721PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低损耗和高可靠性的电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电机驱动 IRLB8721PBF适用于各种电机驱动应用，如直流无刷电机（BLDC）、步进电机等。它能够提供高效的开关性能，确保电机在不同负载条件下平稳运行，同时降低能耗。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少发热，提高系统的整体效率。 2. 电源管理 在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中，IRLB8721PBF可以作为主开关或同步整流器使用。其快速开关速度和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择，能够有效提高电源转换效率，减少能量损失。 3. 消费电子产品 在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机充电器、平板电脑等，IRLB8721PBF可用于实现高效的电源管理和保护功能。它的紧凑封装形式（SO-8）使得它可以轻松集成到小型化设计中，同时保持高性能。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，IRLB8721PBF可用于驱动各种执行器、传感器和控制系统中的负载。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器中，它可以帮助实现精确的电流控制和快速响应，提升系统的稳定性和可靠性。 5. 汽车电子 尽管IRLB8721PBF不是专门为汽车应用设计的，但在一些非关键的车载电子系统中，如电动座椅调节、车窗升降、雨刷控制等，它也可以发挥作用。其出色的电气性能和稳定性能够满足这些应用的需求。 6. 太阳能逆变器 在太阳能光伏发电系统中，IRLB8721PBF可用于逆变器的开关电路中，帮助将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和低功耗特性有助于提高逆变器的整体效率，延长系统的使用寿命。 总之，IRLB8721PBF凭借其卓越的性能和广泛的适用性，成为众多电力电子应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 62A TO-220ABMOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 62 A |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLB8721PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLB8721PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 65 W |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| Qg-GateCharge | 7.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 93 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1077pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.7 毫欧 @ 31A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 功率-最大值 | 65W |
| 功率耗散 | 65 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 8.7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 7.6 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 62 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/IndustrialGrade.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 62A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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