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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1013UW-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1013UW-7价格参考¥0.28-¥0.41。Diodes Inc.DMG1013UW-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 820mA(Ta) 310mW(Ta) SOT-323。您可以下载DMG1013UW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG1013UW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMG1013UW-7 是一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管,采用1.2mm×1.2mm的微型SC-70(SOT-323)封装,具有低导通电阻和小尺寸的特点。该器件适用于对空间要求严苛且需要高效开关性能的应用场景。 典型应用场景包括便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,常用于电源管理中的负载开关、电池供电路径控制或LED背光驱动电路。其低栅极电荷和快速开关特性使其适合高频开关应用,例如DC-DC转换器中的同步整流或电压调节模块。此外,由于其工作电压较低(VGS ±12V,VDS 20V),也广泛用于低压逻辑控制电路中的信号开关或电平转换。 DMG1013UW-7 还适用于各类消费类电子产品中的热插拔保护电路或电机驱动中的小型直流电机控制。其小封装形式非常适合高密度PCB布局,有助于缩小整体产品体积。同时,该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,适合在紧凑型工业控制模块、传感器接口电路及物联网(IoT)设备中使用。 总之,DMG1013UW-7凭借其小型化、低功耗和高效能的特性,广泛应用于移动设备、电源管理、信号切换及各类低电压、小电流的开关控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 820 mA |
| Id-连续漏极电流 | 0.82 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1013UW-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG1013UW-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.31 W |
| Pd-功率耗散 | 310 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 上升时间 | 8.1 ns |
| 下降时间 | 20.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 59.76pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.622nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 430mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | DMG1013UW-7DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 28.4 ns |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 820mA (Ta) |
| 系列 | DMG1013 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |