ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTD20N06LT4G
Datasheet下载- 型号： NTD20N06LT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD20N06LT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD20N06LT4G价格参考￥2.20-￥2.20。ON SemiconductorNTD20N06LT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） DPAK。您可以下载NTD20N06LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD20N06LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD20N06LT4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有20A的连续漏极电流和60V的漏源电压耐压，导通电阻低（典型值约28mΩ），具备高效率、快速开关和良好热性能的特点。 该MOSFET广泛应用于各类中低电压功率控制场景。常见用途包括：电源管理电路，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中的同步整流与开关元件；电机驱动系统，用于小型直流电机或步进电机的控制模块；LED照明驱动电源中实现恒流调节与开关功能；以及在消费类电子产品（如电视、机顶盒、充电器）和工业控制设备中作为负载开关或电源开关使用。 此外，因其采用TO-252（D-Pak）封装，具备良好的散热性能和便于安装于PCB上，适合需要紧凑设计和高效能表现的应用场合。NTD20N06LT4G还符合RoHS环保要求，并具备高可靠性，适用于对稳定性要求较高的工业和汽车电子环境（如车载辅助电源系统）。 综上所述，NTD20N06LT4G是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET，特别适用于中等功率的开关与电源转换场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD20N06LT4G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 990pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 10A，5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD20N06LT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.36W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
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