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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH30,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH30,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH30,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMH30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PUMH30,115是一款双通道NPN型预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置为R₁=10 kΩ,R₂=2.2 kΩ),采用SOT-363(SC-70-6)小型封装。其主要应用场景包括: • 数字逻辑电平转换与接口驱动:用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC输出端,将低电流GPIO信号放大以可靠驱动LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极等负载。 • LED恒流/开关控制:常用于消费电子(如手机背光、指示灯)及家电面板中,实现紧凑、低成本的LED开关控制,无需外置偏置电阻,简化PCB设计并提升一致性。 • 信号切换与负载开关:在便携设备中作为低功耗、高响应的有源开关,替代机械开关或分立晶体管方案,适用于电池供电系统(工作电压范围通常1.8 V–5.5 V)。 • 总线缓冲与I²C/SPI从设备使能控制:配合上拉电阻实现开漏输出扩展,或用作电源使能(EN)信号调理器。 该器件具备ESD防护(>4 kV HBM)、高增益(hFE=100–250 @ Ic=10 mA)、低饱和压降(VCE(sat) < 0.15 V)及良好热稳定性,适合空间受限、成本敏感且需高可靠性的小信号开关应用。不适用于大电流(>100 mA连续)、高频放大或线性稳压等场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH30,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH30,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934059932115 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | UMT-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH30 T/R |
| 频率-跃迁 | - |