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型号： BSC014N06NSATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC014N06NSATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC014N06NSATMA1价格参考。InfineonBSC014N06NSATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8。您可以下载BSC014N06NSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC014N06NSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 BSC014N06NSATMA1 是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。其典型应用场景包括：

1. 电源转换系统：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提升能效。

2. 电机驱动：常用于小型电机控制，如无人机、电动工具、家用电器中的直流电机驱动电路，具备快速开关能力和良好热性能。

3. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或储能系统中，用于电池充放电控制与保护电路，支持高效率能量传输。

4. 照明应用：用于LED驱动电源，特别是在高亮度LED照明中，有助于实现稳定电流控制和节能。

5. 消费类电子：广泛应用于笔记本电脑、移动电源、充电器等设备的电源管理模块。

6. 工业控制：适用于各类工业自动化设备中的负载开关和电源切换电路。

该器件采用PG-TSDS-8封装，具有良好的散热性能和紧凑尺寸，适合空间受限的设计。凭借Infineon先进的Superjunction技术，BSC014N06NSATMA1在60V耐压下实现了极低的导通电阻和优异的开关特性，是高效率、高密度电源设计的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MV POWER MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC014N06NSATMA1
产品型号	BSC014N06NSATMA1
Pd-PowerDissipation	156 W
Pd-功率耗散	156 W
Qg-GateCharge	89 nC
Qg-栅极电荷	89 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.45 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	1.45 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	10 ns
下降时间	11 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	43 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	TDSON-8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	150 S
系列	BSC014N06
配置	Single Quad Drain
零件号别名	SP000924886