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  • 型号: BC847CLT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC847CLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847CLT1G价格参考¥0.06-¥0.06。ON SemiconductorBC847CLT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载BC847CLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847CLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC847CLT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高、开关速度快等特点,广泛应用于各类电子电路中。

主要应用场景包括:  
1. 信号放大:适用于音频、射频及低频小信号放大电路,如前置放大器、传感器信号调理等。  
2. 开关控制:常用于数字逻辑电路中的开关元件,驱动LED、继电器、小型电机等负载,适用于便携式设备和消费类电子产品。  
3. 电源管理:在DC-DC转换器、电压检测电路中作为通断控制或电平转换元件。  
4. 通信设备:用于接口电路中的电平转换与信号切换,如在微控制器与外围设备之间实现信号隔离与驱动。  
5. 消费电子:广泛应用于手机、平板、智能家居、玩具、家用电器等产品中的控制与信号处理模块。

BC847CLT1G具有良好的电气特性,如高增益、低饱和压降和高截止频率,适合高频与低功耗应用。其符合RoHS环保标准,支持无铅焊接,适用于自动化贴片生产。由于其通用性强、成本低、供货稳定,成为众多设计工程师在中小功率模拟与数字电路中的首选三极管之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 45V 100MA SOT23两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC847CLT1G-

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产品型号

BC847CLT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

420 @ 2mA,5V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

BC847CLT1GOSTR

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流集电极/BaseGainhfeMin

420

系列

BC847CL

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.6 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

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