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型号： SIHG20N50C-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SIHG20N50C-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG20N50C-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG20N50C-E3价格参考￥11.35-￥19.67。VishaySIHG20N50C-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC。您可以下载SIHG20N50C-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHG20N50C-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 20A TO247MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	20 A
Id-连续漏极电流	20 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHG20N50C-E3-
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产品型号	SIHG20N50C-E3SIHG20N50C-E3
Pd-PowerDissipation	292 W
Pd-功率耗散	292 W
Qg-GateCharge	65 nC
Qg-栅极电荷	65 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	225 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	225 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	27 ns
下降时间	44 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2942pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	76nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	270 毫欧 @ 10A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247AC
其它名称	SIHG20N50CE3
典型关闭延迟时间	32 ns
功率-最大值	250W
包装	散装
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
标准包装	500
正向跨导-最小值	6.4 S
漏源极电压(Vdss)	500V
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SiHx.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Tc）
系列	E