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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4N50TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD4N50TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD4N50TF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD4N50TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD4N50TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD4N50TF 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC/DC和DC/DC转换器,如适配器、充电器和电源模块,因其高耐压(500V)和低导通电阻特性,有助于提高效率并减少发热。 2. 电机驱动与控制:在小型电机、风扇或泵的驱动电路中作为高效开关使用,支持PWM调速控制。 3. 照明系统:用于LED驱动电路或电子镇流器中,尤其在需要高压输入的工业或商业照明场合。 4. 家电与工业设备:如电磁炉、变频空调等家用电器中的功率开关,以及工业自动化设备中的电源管理模块。 5. 电池管理系统:在高电压电池组(如储能系统或电动车辅助电源)中作为充放电控制开关。 该器件采用TO-252封装,具备良好的热性能和可靠性,适合中高功率密度设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD4N50TF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.7 欧姆 @ 1.3A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Tc) |