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  • 型号: SMUN2211T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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SMUN2211T1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN2211T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN2211T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN2211T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59。您可以下载SMUN2211T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN2211T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的SMUN2211T1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件属于NPN型晶体管,采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高的特点,广泛应用于便携式电子设备和高密度电路板中。

SMUN2211T1G主要适用于开关类电路场景,如逻辑电平转换、LED驱动、小型继电器或蜂鸣器控制等。其内置的串联基极和发射极电阻可有效限制输入电流并提高稳定性,无需外接偏置电阻,从而节省PCB空间并降低元件成本。因此,特别适合消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与电源管理模块。

此外,该器件还常用于各类低功率放大电路及数字开关应用,例如传感器信号调理、微控制器I/O扩展驱动等。其快速开关响应能力支持高频操作,有助于提升系统效率。在工业控制、家用电器和汽车电子(非动力系统)中,SMUN2211T1G也广泛用于实现小信号控制功能。

总体而言,SMUN2211T1G凭借其集成化设计、高可靠性和紧凑封装,成为现代电子系统中理想的通用开关元件,尤其适用于对空间和功耗敏感的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 SS SC59 BR XSTR NPN SPCL

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN2211T1G-

数据手册

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产品型号

SMUN2211T1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

35 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SC-59

其它名称

SMUN2211T1GOSCT

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

230mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

系列

MUN2211

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

频率-跃迁

-

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