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SMUN2211T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN2211T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN2211T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN2211T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59。您可以下载SMUN2211T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN2211T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的SMUN2211T1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件属于NPN型晶体管,采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高的特点,广泛应用于便携式电子设备和高密度电路板中。 SMUN2211T1G主要适用于开关类电路场景,如逻辑电平转换、LED驱动、小型继电器或蜂鸣器控制等。其内置的串联基极和发射极电阻可有效限制输入电流并提高稳定性,无需外接偏置电阻,从而节省PCB空间并降低元件成本。因此,特别适合消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与电源管理模块。 此外,该器件还常用于各类低功率放大电路及数字开关应用,例如传感器信号调理、微控制器I/O扩展驱动等。其快速开关响应能力支持高频操作,有助于提升系统效率。在工业控制、家用电器和汽车电子(非动力系统)中,SMUN2211T1G也广泛用于实现小信号控制功能。 总体而言,SMUN2211T1G凭借其集成化设计、高可靠性和紧凑封装,成为现代电子系统中理想的通用开关元件,尤其适用于对空间和功耗敏感的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 SS SC59 BR XSTR NPN SPCL |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN2211T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMUN2211T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | SMUN2211T1GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 系列 | MUN2211 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |