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Datasheet下载- 型号： FJV4102RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FJV4102RMTF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4102RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4102RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4102RMTF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载FJV4102RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4102RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4102RMTF 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），采用NPN结构，适用于需要简化电路设计、减少外部元件数量的应用场景。 该器件内部集成了基极偏置电阻，使得其在数字开关和逻辑驱动应用中表现出色，无需额外配置偏置电路。这不仅提高了设计的便捷性，还节省了PCB空间，降低了成本。 典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：用于DC-DC转换器或负载开关，控制电源通断。 2. 逻辑接口电路：将低压逻辑信号转换为较高电压输出，用于驱动继电器、LED或小型电机。 3. 传感器驱动：在汽车电子或工业控制系统中，作为传感器信号的放大与开关控制。 4. 消费类电子产品：如手机、平板电脑中的外围设备控制，利用其小尺寸和集成特性提高整体可靠性。 5. 汽车电子：因其高可靠性和工作温度范围宽，适合用于车载系统中的开关控制。 综上，FJV4102RMTF凭借其集成化设计和高稳定性，广泛应用于通信、计算、工业及汽车等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/10K 10K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV4102RMTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJV4102RMTF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | FJV4102RMTFDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 10 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | FJV4102R |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
