Datasheet下载- 型号： MUN5236T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5236T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5236T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5236T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5236T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5236T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5236T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该器件适用于多种电子电路设计，尤其是在需要精确控制电流和电压的应用中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 MUN5236T1G 可用于音频、射频（RF）和其他信号放大的场景。由于其预偏置特性，能够简化电路设计，提供稳定的增益性能，适合低噪声放大器或缓冲器。 2. 开关电路 在数字电路中，该晶体管可以用作开关元件。例如，在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等应用中，MUN5236T1G 能够实现快速、可靠的开关功能。 3. 电源管理 该晶体管可以用于简单的线性稳压器或电流调节电路中。通过调整偏置电流，可以实现对负载电流的精准控制，适用于电池充电器或传感器供电电路。 4. 传感器接口 在工业自动化或消费电子领域，MUN5236T1G 可用于传感器信号的调理电路中，如将微弱的传感器输出信号放大到适合后续处理的电平。 5. 通信设备 由于其高频特性和稳定性，该晶体管也可应用于通信系统中的调制解调器、混频器或其他高频电路。 6. 测试与测量设备 在精密仪器中，MUN5236T1G 的高精度和可靠性使其成为理想的组件选择，可用于构建高精度的电流源或电压源。 总结来说，MUN5236T1G 凭借其预偏置设计和高性能参数，广泛应用于信号放大、开关控制、电源管理以及各类精密电子设备中。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5236T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MUN5236T1GOS |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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