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详细数据请看参考数据手册

型号： IRLS3036TRLPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLS3036TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLS3036TRLPBF价格参考￥19.97-￥31.95。International RectifierIRLS3036TRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 380W（Tc） D2PAK。您可以下载IRLS3036TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLS3036TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRLS3036TRLPBF是一款N沟道逻辑级增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性。该型号广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的应用场景。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   - 适用于直流-直流转换器（DC-DC Converter）中的同步整流或主开关，帮助提高效率并减少能量损耗。
   - 在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的充电电路中，用于实现高效的电源转换和管理。

2. 电机驱动：
   - 用于小型直流电机和无刷直流电机（BLDC）的驱动电路，能够提供精确的电流控制，确保电机运行平稳且高效。
   - 在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇等）中，作为功率开关，控制电机的速度和方向。

3. 负载切换：
   - 在汽车电子系统中，用于电池管理系统（BMS）中的负载切换，确保电池与负载之间的安全连接和断开。
   - 在服务器和数据中心的冗余电源系统中，用于快速切换备用电源，保证系统的持续供电。

4. 电池保护：
   - 在锂电池保护电路中，作为充放电保护开关，防止过充、过放和短路等情况，延长电池寿命并提高安全性。
   - 在智能穿戴设备和物联网（IoT）设备中，用于电池管理和电源路径管理，确保设备在低功耗模式下的稳定工作。

5. 逆变器和UPS系统：
   - 在不间断电源（UPS）系统和太阳能逆变器中，作为功率开关，负责将直流电转换为交流电，确保电力供应的连续性和稳定性。

6. 消费电子产品：
   - 在智能家居设备、音响设备和其他消费类电子产品中，用于电源管理和信号切换，提升产品的性能和用户体验。

总之，IRLS3036TRLPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多电力电子应用中的理想选择，尤其适用于需要高效能和低功耗的设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAKMOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	270 A
Id-连续漏极电流	270 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLS3036TRLPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRLS3036TRLPBF
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	380 W
Pd-功率耗散	380 W
Qg-GateCharge	140 nC
Qg-栅极电荷	140 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.5 V
上升时间	220 ns
下降时间	110 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	11210pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	140nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.4 毫欧 @ 165A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	IRLS3036TRLPBFCT
功率-最大值	380W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	2.4 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	340 S
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	270 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	195A （Tc）
配置	Single