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  • 型号: TK16E60W,S1VX
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK16E60W,S1VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16E60W,S1VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16E60W,S1VX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220。您可以下载TK16E60W,S1VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK16E60W,S1VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

1350 pF

描述

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

超级结

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15.8 A

Id-连续漏极电流

15.8 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16E60W

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TK16E60W,S1VX-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16E60W

产品型号

TK16E60W,S1VXTK16E60W,S1VX

Pd-PowerDissipation

130 W

Pd-功率耗散

130 W

Qg-GateCharge

30 nC

Qg-栅极电荷

30 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

160 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

160 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.7 V to 3.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.7 V to 3.7 V

上升时间

25 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.7V @ 790µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1350pF @ 300V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 7.9A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

TK16E60WS1VX

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

130W

包装

管件

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15.8A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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