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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTA114EE-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTA114EE-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTA114EE-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDTA114EE-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTA114EE-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DDTA114EE-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是内置偏置电阻,简化了电路设计并提高了稳定性。该器件常用于需要低功耗、高可靠性和小信号处理的场景。 典型应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于内置偏置电阻,可直接连接微控制器或逻辑电路,用于驱动 LED、继电器、小型电机等负载。 2. 信号放大电路:适用于音频、射频或模拟信号的小信号放大,尤其在便携式设备和消费电子产品中应用广泛。 3. 电源管理电路:在电池供电设备中作为开关元件使用,实现对电源通断的控制,提升能效。 4. 接口电路:用于不同电压电平之间的信号转换,如将 5V 系统信号转换为驱动 3.3V 负载所需的电平。 5. 汽车电子系统:因其具备一定的温度稳定性和可靠性,可用于车载传感器、灯光控制等模块。 总结而言,DDTA114EE-7-F 凭借其集成度高、使用方便的特点,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DDTA114EE-7-F |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-523 |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-523 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | 250MHz |