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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的SMUN2230T1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于NPN型,集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和低功耗控制的场景。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LED驱动、电源开关或信号切换,得益于其小封装(SOT-23)和低静态电流。 2. 消费类电子产品:用于遥控器、家用电器控制板、LCD背光调节等,实现对负载的高效通断控制。 3. 工业与汽车电子:在传感器信号调理、继电器驱动、电机控制等低压控制电路中,提供稳定可靠的开关功能;适用于汽车内部照明、车身控制模块等对温度范围要求较高的环境(工作温度可达-55°C至150°C)。 4. 电源管理:常用于DC-DC转换器的启停控制、电平转换电路及逻辑接口,集成的偏置电阻减少了外围元件数量,提升系统可靠性。 SMUN2230T1G因具备高增益、快速开关响应及良好的热稳定性,特别适合空间受限且追求高集成度的设计。其符合RoHS标准,支持无铅焊接,适用于自动化生产流程。总体而言,该型号是中小功率开关应用中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMUN2230T1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 3 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-59 |
功率-最大值 | 230mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
频率-跃迁 | - |