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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD44E3T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD44E3T4G价格参考。ON SemiconductorMJD44E3T4G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 80V 10A 1.75W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD44E3T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD44E3T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD44E3T4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于MJD系列,采用SOT-223封装。该器件具有较高的电流和功率处理能力,最大集电极电流可达4A,最大集电极-发射极电压为100V,适用于中高功率开关和放大应用。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:常用于线性稳压器、开关电源(SMPS)中的驱动级或功率调整元件,因其具备良好的热稳定性和负载驱动能力。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机的控制电路中作为开关元件,实现启停与方向控制。 3. 照明控制:用于LED驱动电路,特别是在需要大电流控制的工业或汽车照明系统中。 4. 继电器或电磁阀驱动:作为继电器线圈的开关控制,提供足够的驱动电流并具备良好的饱和特性。 5. 消费电子与工业设备:广泛应用于家电、电源适配器、UPS不间断电源等设备中的功率切换与信号放大功能。 MJD44E3T4G具备高可靠性、优良的热性能和符合RoHS环保标准,适合在工业、汽车及通用电源系统中使用。其SOT-223封装便于散热设计,适用于需要紧凑布局且兼顾散热效率的电路板设计。总体而言,该型号是一款经济高效、性能稳定的中功率晶体管,适用于多种中等功率开关与放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR DARL NPN 10A 80V DPAK达林顿晶体管 10A 80V 20W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJD44E3T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD44E3T4G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2V @ 20mA,10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 5A,5V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD44E3T4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最大集电极截止电流 | 10 uA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 |
| 系列 | MJD44E3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 频率-跃迁 | - |