ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > MMSZ5237BT1G
Datasheet下载- 型号： MMSZ5237BT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5237BT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5237BT1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5237BT1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5237BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5237BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMSZ5237BT1G是一款小功率表面贴装齐纳二极管，属于MMSZ52系列，采用SOD-123封装。其标称齐纳电压为6.2V（在测试电流下），具有低动态阻抗和良好的电压稳定性，适用于需要精确电压参考和稳压功能的电路。 该器件典型的应用场景包括：便携式电子设备中的电压基准源，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；电源管理电路中用于过压保护或电压钳位；在模拟电路中为运算放大器、ADC/DAC等提供稳定参考电压；也可用于信号电平转换和ESD保护电路。由于其体积小、功耗低，特别适合高密度PCB布局和空间受限的应用。 MMSZ5237BT1G符合AEC-Q101车规认证，因此也广泛应用于汽车电子系统，如车载传感器模块、车身控制模块和信息娱乐系统中的稳压需求。此外，该器件无铅且符合RoHS环保要求，适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种领域。其稳定的电气性能和高可靠性使其成为中低功率稳压应用中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123稳压二极管 8.2V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5237BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5237BT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 6.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5237BT1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ52 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 8.2 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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