ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF520NSTRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF520NSTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF520NSTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF520NSTRLPBF价格参考￥6.42-￥12.13。International RectifierIRF520NSTRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF520NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF520NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF520NSTRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。这款晶体管的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：IRF520NSTRLPBF常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）和线性稳压器中，能够高效地控制电流的通断，提供稳定的电压输出。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，如风扇、泵、电动工具等，IRF520NSTRLPBF可以作为功率开关，控制电机的启动、停止和调速。它具有较快的开关速度和较低的热阻，能够在高频率下稳定工作，延长设备使用寿命。 3. 音频放大器：该MOSFET也适用于音频功率放大器中的输出级，用作开关元件或线性放大器中的驱动级。它的高击穿电压（Vds）和大电流承载能力确保了在高功率音频信号下的可靠性和稳定性。 4. 电池管理系统：在便携式电子产品和电动汽车的电池管理系统中，IRF520NSTRLPBF可用于电池充放电保护电路，防止过充、过放和短路等问题。它还可以用于电池均衡电路，确保每个电池单元的电压一致，延长电池组的整体寿命。 5. 继电器替代：由于其快速响应特性和长寿命，IRF520NSTRLPBF可以用作固态继电器的替代品，在需要频繁切换负载的应用中表现出色，如照明控制系统、家电控制面板等。 总之，IRF520NSTRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，成为许多电力电子应用的理想选择，特别是在需要高效、紧凑且耐用的解决方案时。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF520NSTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF520NSTRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 47 W |
| Pd-功率耗散 | 47 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF520NSTRLPBFCT |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.7A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf520ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf520ns.spi |
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