Datasheet下载- 型号： MUN5215T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5215T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5215T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5215T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5215T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5215T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5215T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该器件具有特定的电气特性和封装设计，适用于多种电子电路中的信号放大和开关功能。以下是其主要应用场景： 1. 音频信号放大 - MUN5215T1G 可用于低功率音频放大器中，处理小信号的增益和驱动能力。由于其预偏置特性，能够简化电路设计并提高稳定性，适用于耳机驱动、蜂鸣器控制等场景。 2. 信号调理与放大 - 在传感器信号调理电路中，该晶体管可用于将微弱的模拟信号放大到适合后续处理的电平。例如，在温度传感器、压力传感器或光电二极管输出信号的放大电路中。 3. 开关应用 - 作为开关元件，MUN5215T1G 可用于控制小型负载的通断，如 LED 驱动、继电器控制或其他低功耗设备的开关操作。其预偏置特性有助于实现更稳定的开关性能。 4. 电源管理 - 在一些简单的线性稳压器或电流调节电路中，该晶体管可以用来稳定输出电压或限制输出电流。例如，在电池充电电路中用作电流控制元件。 5. 通信设备 - 在低频通信电路中，MUN5215T1G 可用于信号调制、解调以及缓冲放大等功能，适用于对功耗要求较低的无线通信模块或数据传输接口。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域，该晶体管可用于驱动小型执行器、步进电机的单相控制或逻辑电平转换电路。 特点总结： - 预偏置设计：简化了外部偏置电路的设计，降低了复杂性。 - 高可靠性：ON Semiconductor 的产品通常具备良好的一致性和耐用性。 - 小信号处理能力强：适合需要精确控制和低噪声的应用。 MUN5215T1G 的具体应用取决于其电气参数（如集电极电流、电压范围、增益等）以及目标系统的实际需求。在使用时，需根据数据手册中的规格进行合理选型和设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5215T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5215T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MUN5215T1GOSCT |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 功率耗散 | 202 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
| 系列 | MUN5215 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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