ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 > DTC124XKAT146
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
DTC124XKAT146产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC124XKAT146由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC124XKAT146价格参考。ROHM SemiconductorDTC124XKAT146封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3。您可以下载DTC124XKAT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC124XKAT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC124XKAT146是一款预偏置的双极晶体管(BJT),属于单晶体管类别。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 音频放大器 - DTC124XKAT146适用于低噪声、高增益的音频信号放大场景,例如耳机放大器或小型音响系统。由于其预偏置特性,能够简化电路设计并提高稳定性。 2. 信号调节与处理 - 在传感器信号调理电路中,该晶体管可用于信号放大和转换。例如,将微弱的传感器输出信号放大到适合后续处理的电平。 3. 开关电路 - 虽然DTC124XKAT146主要用于线性放大,但在某些低速开关应用中,也可以用作简单的开关元件,例如控制LED或小功率继电器。 4. 电源管理 - 在低功耗电源管理系统中,这款晶体管可以用于电流检测、电压调节或保护电路。例如,在电池供电设备中实现过流保护或欠压锁定功能。 5. 通信设备 - 在低频通信设备中,DTC124XKAT146可用于信号调制、解调或混频等操作,支持稳定的射频前端设计。 6. 消费电子 - 该晶体管广泛应用于各种消费电子产品中,如遥控器、玩具、便携式设备等,提供可靠的小信号放大功能。 特点与优势 - 预偏置设计:简化了外部偏置电路的设计,降低了复杂性。 - 高增益:适合需要精确信号放大的场合。 - 稳定性强:能够在宽温度范围内保持性能稳定。 - 紧凑封装:适合空间受限的应用场景。 综上所述,DTC124XKAT146是一款多功能的双极晶体管,特别适合需要简单、高效和稳定的小信号放大或开关控制的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 DIGIT NPN 50V 50MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC124XKAT146- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC124XKAT146 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | DTC124XKAT146DKR |
| 典型电阻器比率 | 2.1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 68 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |