ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > SDTC114EET1G
Datasheet下载- 型号： SDTC114EET1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SDTC114EET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SDTC114EET1G价格参考。ON SemiconductorSDTC114EET1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416。您可以下载SDTC114EET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SDTC114EET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的SDTC114EET1G是一款预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），集成了内置基极和发射极电阻，简化了电路设计。该器件采用小型SOT-23（SC-59）封装，适合高密度贴装，广泛应用于便携式电子设备。 主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于其内置偏置电阻，SDTC114EET1G可直接通过逻辑电平（如3.3V或5V）驱动，常用于LED驱动、继电器控制、电源管理等低功率开关应用。 2. 信号放大：适用于小信号放大电路，如音频前置放大或传感器信号调理，尤其在空间受限的消费类电子产品中表现优异。 3. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑之间的接口转换，例如将微控制器输出信号适配至其他IC所需的电平。 4. 便携设备：因其小型封装和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源控制与信号切换模块。 5. 工业与汽车电子：在车载信息娱乐系统、传感器接口和小型电机控制中作为驱动或缓冲元件，具备良好的稳定性和可靠性。 SDTC114EET1G的优势在于减少外围元件数量、降低PCB面积、提升生产效率，特别适合追求微型化和高集成度的设计需求。同时，安森美的产品品质保障使其在消费电子、工业控制及汽车领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 50V 10/10K SC75-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SDTC114EET1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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