Datasheet下载- 型号： MMUN2137LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2137LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2137LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2137LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2137LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2137LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2137LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），主要应用于便携式电子设备和电源管理电路中。其主要特点是在内部集成了基极偏置电阻，简化了外部电路设计，提高了电路的稳定性。 该器件常用于以下场景： 1. 逻辑电平转换：用于数字电路中不同电压域之间的信号转换，如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号，方便不同系统之间的接口连接。 2. 开关电路：由于其集成偏置电阻，适合用于低功耗开关应用，如LED驱动、继电器控制、负载开关等。 3. 便携设备电源管理：广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中，作为负载开关或信号路径控制元件，有助于降低功耗并节省PCB空间。 4. 传感器接口电路：在传感器信号调理或驱动电路中用作开关或放大元件，尤其适用于对空间和功耗敏感的应用。 5. 电机驱动与继电器驱动：用于小型电机或继电器的控制，提供稳定的开关性能，减少外围元件数量。 该晶体管采用SOT-23小型封装，适合高密度布局，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于消费类电子、工业控制及汽车电子中的低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMUN2137LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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