Datasheet下载- 型号： DTD143ECT216
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTD143ECT216由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTD143ECT216价格参考。ROHM SemiconductorDTD143ECT216封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTD143ECT216参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTD143ECT216 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 DTD143ECT216 的晶体管由 Rohm Semiconductor（罗姆半导体） 生产，属于 预偏置双极性晶体管（BJT）。其主要应用场景包括： 1. 数字开关电路：由于集成有内置偏置电阻，适用于逻辑控制的开关应用，如微控制器 I/O 接口驱动。 2. 电源管理电路：用于电源开关、负载切换等场景，简化外围电路设计。 3. LED 驱动电路：适合中低功率 LED 灯串的开关控制，提高系统稳定性。 4. 继电器或蜂鸣器驱动：作为小型继电器或蜂鸣器的驱动开关，减少外部元件数量。 5. 消费类电子产品：广泛应用于家电、智能设备、玩具、电子锁等对空间和成本敏感的产品中。 该器件采用 NPN 型结构，具备小封装特性（如 SOT-23），便于贴片安装，适合高密度 PCB 设计。由于内置偏置电阻，可有效减少外部电路复杂度并提升可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3开关晶体管 - 偏压电阻器 DIGITAL NPN 500mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTD143ECT216- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTD143ECT216 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 47 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | * |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 47 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 500 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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