ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > SIA922EDJ-T1-GE3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SIA922EDJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA922EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA922EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA922EDJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4.5A 7.8W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA922EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA922EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA922EDJ-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度,适用于多种电源管理和信号切换应用场景。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电源管理与转换 SIA922EDJ-T1-GE3 可用于 DC-DC 转换器、降压/升压电路等电源管理系统中。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗,提高效率,特别适合便携式设备、消费电子、工业控制系统中的电源管理模块。此外,它还可以用于电池充电管理电路,确保充电过程的安全性和稳定性。 2. 负载开关 在需要快速响应的负载开关应用中,SIA922EDJ-T1-GE3 的低电容和快速开关特性使其成为理想选择。它可以用于控制各种负载的通断,如 LED 照明系统、传感器模块、通信接口等,确保系统的可靠性和高效性。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动应用,SIA922EDJ-T1-GE3 可以作为功率级器件,用于控制电机的启动、停止和调速。它的低导通电阻有助于减少发热,延长电机寿命,同时提高系统的整体能效。适用于消费类电子产品中的风扇、泵等小型电机控制。 4. 信号切换与保护 在信号切换和保护电路中,SIA922EDJ-T1-GE3 可用于实现多路信号的选择和隔离。例如,在 USB 接口、音频信号切换、传感器信号处理等场景中,它可以提供可靠的信号路径切换功能,并且能够防止过流、过压等异常情况对后端电路造成损害。 5. 热插拔保护 在服务器、存储设备等需要支持热插拔操作的场合,SIA922EDJ-T1-GE3 可以用作热插拔控制器的关键元件。它能够在插入或拔出模块时,平滑地控制电流的流动,避免瞬态电流冲击,保护系统免受损坏。 总之,SIA922EDJ-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类需要高效功率控制和信号切换的场合,特别是在对功耗和空间要求较高的便携式设备和紧凑型系统中表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6MOSFET 30V .064ohm@4.5V 4.5A N-Ch |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA922EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA922EDJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.4 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 64 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 其它名称 | SIA922EDJ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI1972DH-T1-GE3 |