ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI1016CX-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1016CX-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1016CX-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1016CX-T1-GE3价格参考￥0.39-￥0.39。VishaySI1016CX-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 220mW 表面贴装 SC-89-6。您可以下载SI1016CX-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1016CX-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1016CX-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该器件适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电源分配电路。它能够高效地控制电流流动，确保系统稳定运行。 2. 电池保护：在便携式设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，SI1016CX-T1-GE3可用于电池保护电路，防止过充、过放或短路等问题。 3. 信号切换：在通信和数据处理领域，这款MOSFET阵列可用作信号切换元件，实现高速信号传输的同时降低信号失真。 4. 电机驱动：小型电机驱动电路中，该器件可作为驱动开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 5. 消费电子产品：广泛应用于电视、音响系统和其他消费电子产品中的音频功率放大器、背光驱动等场景，提供高效的功率转换和控制功能。 6. 工业自动化：在工业控制领域，可用于传感器接口、继电器替代以及各种自动化设备中的开关控制。 7. 汽车电子：尽管具体耐温范围需确认，但类似器件常用于车载电子系统的负载控制、照明控制及诊断电路中。 SI1016CX-T1-GE3凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装特点，在上述场景中表现出优异性能，同时有助于减少整体系统功耗并节省空间。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6MOSFET 20V .5/.35A PCH COMPLIMENTARY |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1016CX-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1016CX-T1-GE3SI1016CX-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.22 W |
| Pd-功率耗散 | 220 mW |
| Qg-GateCharge | 0.75 nC, 1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.75 nC, 1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 330 mOhms, 630 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 330 mOhms, 630 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.4 V to 1 V, - 0.4 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.4 V to 1 V, - 0.4 V to - 1 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 43pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 396 毫欧 @ 500mA， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 220mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2 S, 1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | SI1016CX |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
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