【未分类_SI7218DN-T1-GE3】封装/厂家_SI7218DN-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SI7218DN-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7218DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7218DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7218DN-T1-GE3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SI7218DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7218DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7218DN-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，采用小型DFN封装，适用于需要高效、紧凑设计的电源管理和负载开关应用。该器件常见应用场景包括：

1. 电池供电设备：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源管理开关、电池保护电路和负载切换，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功耗和发热。

2. DC-DC转换器：用于同步整流或开关元件，提高转换效率，尤其适用于中低功率的开关电源设计。

3. 电机驱动与继电器替代：在小型电机控制或固态继电器中，作为高速开关使用，具备更高的可靠性和更长寿命。

4. LED照明控制：用于LED驱动电路中的开关控制，实现调光或分组控制功能。

5. 工业自动化与传感器模块：作为信号或电源开关，用于PLC、工业传感器、自动控制系统中的小功率负载切换。

该器件具有高集成度、低功耗和小尺寸优势，适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品及工业控制系统中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
产品分类	FET - 阵列
FET功能	标准
FET类型	2 个 N 沟道（双）
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI7218DN-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	700pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	17nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	25 毫欧 @ 8A，10V
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8 Dual
功率-最大值	23W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8 双
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	24A