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产品简介:
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NVMFD5485NLWFT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号属于双 MOSFET 阵列,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: NVMFD5485NLWFT1G 适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理电路中。其低导通电阻特性可以减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,该器件可作为驱动级的一部分,用于控制电机的启停、速度和方向。其快速开关能力有助于实现精确的 PWM 控制。 3. 电池保护与管理: 该 MOSFET 阵列可用于电池管理系统中的充放电控制和过流保护,确保电池的安全运行。 4. 信号切换与隔离: 在需要高速信号切换的应用中,例如通信设备或数据传输接口,NVMFD5485NLWFT1G 可提供可靠的信号隔离和切换功能。 5. 消费电子设备: 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的负载开关和电源路径管理。 6. 工业自动化: 在工业控制领域,该器件可用于继电器替代、传感器接口和信号调理等场景。 总之,NVMFD5485NLWFT1G 凭借其高性能和紧凑封装,广泛应用于需要高效功率转换和信号处理的场景中。具体使用时需根据电路设计需求选择合适的外围元件以优化性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DFN8 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFD5485NLWFT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 44 毫欧 @ 15A, 10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 2.9W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A |