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- 型号： ZXMP3F37DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP3F37DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP3F37DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMP3F37DN8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMP3F37DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP3F37DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMP3F37DN8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 沆道 MOSFET 阵列器件，属于晶体管中的 FET 类别。该器件集成了两个独立的 P 沟道 MOSFET，采用小型化的 DFN2020 封装，具有低导通电阻、高开关效率和良好的热性能，适用于空间受限的便携式电子设备。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于电池供电设备中的负载开关或电源切换电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现对不同模块电源的高效控制与节能管理。 2. 电压反转与电平转换：在数字逻辑电路中，用于高低电平之间的信号转换，尤其适用于多电压系统中不同逻辑电平之间的接口匹配。 3. 电机驱动与LED驱动：可用于小型直流电机或LED背光驱动电路中，作为开关元件控制电流通断，具备快速响应和低功耗优势。 4. 便携式消费类电子产品：因其小封装和高集成度，广泛应用于蓝牙耳机、移动电源、智能家居传感器等对体积和功耗敏感的产品中。 5. 保护电路：可作为反向电压保护或过流保护电路中的关键元件，提升系统可靠性。 总体而言，ZXMP3F37DN8TA 凭借其高集成度、低静态功耗和优异的开关特性，特别适合用于高密度、低功耗的现代电子系统中，是电源控制和信号切换应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXMP3F37DN8TA |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1678pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 7.1A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | ZXMP3F37DN8TADI |
| 功率-最大值 | 1.81W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.7A |
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