| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6984AS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6984AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6984AS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS6984AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6984AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为FDS6984AS的ON Semiconductor产品属于晶体管中的MOSFET阵列器件,常用于需要高效功率开关的应用场景。该器件集成了多个MOSFET,通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中。由于其高集成度和小封装特性,FDS6984AS特别适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子产品,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机及各类电源适配器。此外,它也可用于汽车电子系统中的功率控制模块,提供可靠的开关性能和良好的热稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOICMOSFET SO-8 DUAL N-CH |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6984ASPowerTrench®, SyncFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6984AS |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 420pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 31 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6984ASFSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S, 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A,8.5A |
| 系列 | FDS6984 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |