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Datasheet下载- 型号： SI7850DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7850DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7850DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7850DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7850DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7850DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7850DP-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用薄型SO-8封装，具有低导通电阻和高可靠性。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的负载开关、电源切换和电池管理电路。由于其优异的开关性能和低功耗特性，也常用于DC-DC转换器中作为同步整流或高端开关，提升电源效率。此外，SI7850DP-T1-GE3适用于热插拔电路和过压保护模块，能有效防止电流冲击和短路损坏。其高ESD防护能力和稳定的热性能，使其在工业控制、通信设备和便携式医疗仪器中也有广泛应用。整体而言，该MOSFET适合需要小型化、高效率和高可靠性的低电压、大电流开关应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8MOSFET 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71625 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7850DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7850DP-T1-GE3SI7850DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 10.3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7850DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 22 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 6.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7850DP-GE3 |
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