ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > DMS3017SSD-13
Datasheet下载- 型号： DMS3017SSD-13
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMS3017SSD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMS3017SSD-13价格参考。Diodes Inc.DMS3017SSD-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 8A，6A 1.19W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载DMS3017SSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMS3017SSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMS3017SSD-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管阵列，属于 FET/MOSFET 类型。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：DMS3017SSD-13 可用于控制电路中的负载通断，适用于需要高效、低功耗的负载切换场合。 - 电源切换：在多电源系统中，该器件可用于实现主电源和备用电源之间的快速切换。 - 电压调节：通过与外部电路配合，可实现简单的电压调节功能。 2. 信号切换 - 模拟信号切换：该 MOSFET 阵列支持低导通电阻（Rds(on)），适合用于音频、视频等模拟信号的切换。 - 数字信号切换：在数字电路中，可以用来切换不同的信号路径，例如数据总线或 I/O 端口。 3. 电机驱动与控制 - 小型电机控制：适用于驱动低功率直流电机或步进电机，提供高效的开关性能。 - H 桥电路：在简单 H 桥设计中，该器件可以用作部分开关元件，用于双向电机控制。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其内置的热关断和过流保护特性，可防止电路因过载而损坏。 - 反向电池保护：在便携式设备中，可以防止因电池极性接反而导致的电路损坏。 5. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，可用于电源管理和信号切换。 - USB 供电设备：在 USB-PD 或其他供电应用中，作为负载开关或保护元件。 6. 工业与汽车领域 - 传感器接口：在工业自动化和汽车电子中，可用于传感器信号的隔离与切换。 - LED 驱动：适用于小功率 LED 驱动电路，提供精确的电流控制。 特点总结 DMS3017SSD-13 具有紧凑的封装尺寸、低导通电阻和高可靠性，非常适合对空间和效率要求较高的应用场景。其典型应用包括电源管理、信号切换、电机控制以及各种保护电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SOMOSFET Dual N-Ch DIOFET VDSS 30V VGSS 20V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMS3017SSD-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMS3017SSD-13 |
| Pd-PowerDissipation | 1.19 W |
| Pd-功率耗散 | 1.19 W |
| Qg-GateCharge | 30.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1276pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | DMS3017SSD-13DIDKR |
| 功率-最大值 | 1.19W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A，6A |
| 系列 | DMS3017 |
| 配置 | Dual |
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