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  • 型号: FDS89161LZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS89161LZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS89161LZ价格参考¥3.22-¥3.75。Fairchild SemiconductorFDS89161LZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 2.7A 1.6W 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS89161LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS89161LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOICMOSFET PT5 100V Logic Level with Zener

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

2.7 A

Id-连续漏极电流

2.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS89161LZPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDS89161LZ

Pd-PowerDissipation

31 W

Pd-功率耗散

31 W

Qg-GateCharge

5.3 nC

Qg-栅极电荷

5.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

105 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

105 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.7 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

302pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 2.7A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

FDS89161LZDKR

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

1.6W

包装

Digi-Reel®

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

7.8 s

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A

系列

FDS89161

配置

Dual

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