ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > PMBFJ309,215
Datasheet下载- 型号： PMBFJ309,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PMBFJ309,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ309,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ309,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ309,215封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 25V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ309,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBFJ309,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBFJ309,215是NXP USA Inc.生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于N沟道JFET，广泛应用于模拟信号处理和低噪声电路中。该器件采用SOT-23小外形封装，具有体积小、功耗低、可靠性高的特点，适用于对空间和能效要求较高的电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，PMBFJ309,215常用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音频设备中，有助于提升音质清晰度。 2. 信号开关与调制电路：在模拟开关、多路复用器和信号路由系统中，该器件可实现低失真的信号控制，适用于测试测量仪器和通信设备。 3. 传感器接口电路：在光敏、温度或压力传感器的信号调理模块中，利用其高输入阻抗特性，可有效减少对微弱信号源的负载影响，提高检测精度。 4. 低功耗便携设备：如手持式仪表、可穿戴设备和电池供电系统，得益于其低静态功耗和小型封装，有助于延长续航时间并节省PCB空间。 此外，PMBFJ309,215还适用于需要稳定直流偏置的电路，如恒流源设计。其可靠的性能和工业级工作温度范围，使其在消费电子、工业控制和通信领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET N-CH 25V 250MW SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 30 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors PMBFJ309,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBFJ309,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 12 mA to 30 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 12mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 10V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6484-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | - 25 V |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 漏源电压VDS | 25 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | 50 欧姆 |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 4 V |
| 零件号别名 | PMBFJ309 T/R |
