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  • 型号: PMBFJ309,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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PMBFJ309,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ309,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ309,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ309,215封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 25V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ309,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBFJ309,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 25V 250MW SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

Id-连续漏极电流

30 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors PMBFJ309,215-

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产品型号

PMBFJ309,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

250 mW

Pd-功率耗散

250 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

50 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 25 V

Vgs=0时的漏-源电流

12 mA to 30 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

1V @ 1µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

12mA @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5pF @ 10V

产品

RF JFET

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-6484-1

功率-最大值

250mW

功率耗散

250 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

50 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

JFET

最大工作温度

+ 150 C

最大漏极/栅极电压

- 25 V

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

25V

漏源电压VDS

25 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

25V

电阻-RDS(开)

50 欧姆

类型

Silicon

配置

Single

闸/源击穿电压

- 25 V

闸/源截止电压

- 4 V

零件号别名

PMBFJ309 T/R

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