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  • 型号: PMBFJ174,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ174,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ174,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ174,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMBFJ174,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBFJ174,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMBFJ174,215 是由 NXP USA Inc. 生产的 JFET(结型场效应晶体管)系列中的一个型号。该晶体管属于 N 沟道耗尽型 JFET,广泛应用于低噪声、高输入阻抗和线性信号处理场景中。以下是其主要应用场景:

 1. 音频信号放大
   - PMBFJ174,215 的高输入阻抗特性使其非常适合用于音频前置放大器电路。它可以有效地放大微弱的音频信号,同时保持低噪声性能,适用于高品质音频设备,如麦克风前置放大器、吉他效果器等。

 2. 射频(RF)和无线通信
   - 在射频电路中,该 JFET 可用作低噪声放大器(LNA),用于接收微弱的射频信号。其线性度和稳定性使其适合在高频应用中工作,例如无线电接收机、无线传感器网络等。

 3. 开关和缓冲电路
   - PMBFJ174,215 可以用作模拟开关或缓冲器,特别是在需要低导通电阻和高阻抗隔离的应用中。例如,在多路复用器或数据采集系统中,它可以实现信号选择和传输。

 4. 振荡器和混频器
   - 由于其良好的线性特性和频率响应,该晶体管可以用于设计振荡器和混频器电路。它在高频信号生成和调制解调应用中表现出色。

 5. 可变增益放大器
   - PMBFJ174,215 的栅极电压控制特性使其非常适合用于可变增益放大器(VGA)。通过调节栅极电压,可以动态调整放大器的增益,适用于自动增益控制(AGC)电路。

 6. 传感器信号调理
   - 在传感器信号调理电路中,该 JFET 可用于放大微弱的传感器输出信号,同时避免引入过多噪声。常见的应用包括压力传感器、温度传感器和光电传感器。

 7. 电源管理
   - 虽然 JFET 不是主流的功率器件,但 PMBFJ174,215 可用于简单的电流源或恒流电路设计,为 LED 或其他负载提供稳定的电流驱动。

 总结
PMBFJ174,215 的主要优势在于其高输入阻抗、低噪声和良好的线性特性,这使得它在音频、射频、信号调理和低功耗电路中具有广泛的应用价值。具体应用时,需根据电路需求选择合适的偏置条件和外围元件搭配,以充分发挥其性能特点。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

JFET P-CH 30V 300MW SOT23JFET JFET P-CH 30V 5MA

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

P 沟道

Id-连续漏极电流

135 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,NXP Semiconductors PMBFJ174,215-

数据手册

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产品型号

PMBFJ174,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的电压-截止(VGS关)

5V @ 10nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

20mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8pF @ 10V(VGS)

产品目录页面

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产品种类

JFET

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-2081-1

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏极连续电流

135 mA

漏源极电压(Vdss)

30V

漏源电压VDS

30 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

30V

电阻-RDS(开)

85 欧姆

配置

Single

闸/源击穿电压

30 V

零件号别名

PMBFJ174 T/R

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