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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR31LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR31LT1G价格参考。ON SemiconductorBFR31LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFR31LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFR31LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFR31LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,常用于高频、低噪声的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大电路:BFR31LT1G具有优良的高频特性,适用于VHF和UHF频段的射频放大器,常见于无线通信设备、电视调谐器、FM收音机前端放大电路等。 2. 低噪声放大器(LNA):由于JFET输入阻抗高、噪声低,该器件适合用作接收系统的前置放大器,提升信号信噪比,广泛应用于雷达、卫星通信和广播接收系统。 3. 模拟开关与衰减器:凭借其良好的线性特性和快速开关能力,BFR31LT1G可用于模拟信号控制电路,如自动增益控制(AGC)系统中的可变衰减器。 4. 振荡器与调制电路:在高频信号发生电路中,该JFET可作为有源元件构建LC或晶体振荡器,也适用于调幅(AM)、调频(FM)等调制解调电路。 5. 测试仪器与测量设备:因其稳定性和高频响应,常用于示波器、频谱分析仪等精密电子测试设备的前端模拟电路中。 综上,BFR31LT1G是一款高性能的小信号JFET,特别适合需要高频率、低噪声和良好线性度的模拟应用场景,广泛服务于通信、消费电子及工业测量领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFR31LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 2.5V @ 0.5nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS(开) | - |