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  • 型号: BFR31LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFR31LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR31LT1G价格参考。ON SemiconductorBFR31LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFR31LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFR31LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BFR31LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,常用于高频、低噪声的模拟电路中。其主要应用场景包括:

1. 射频(RF)放大电路:BFR31LT1G具有优良的高频特性,适用于VHF和UHF频段的射频放大器,常见于无线通信设备、电视调谐器、FM收音机前端放大电路等。

2. 低噪声放大器(LNA):由于JFET输入阻抗高、噪声低,该器件适合用作接收系统的前置放大器,提升信号信噪比,广泛应用于雷达、卫星通信和广播接收系统。

3. 模拟开关与衰减器:凭借其良好的线性特性和快速开关能力,BFR31LT1G可用于模拟信号控制电路,如自动增益控制(AGC)系统中的可变衰减器。

4. 振荡器与调制电路:在高频信号发生电路中,该JFET可作为有源元件构建LC或晶体振荡器,也适用于调幅(AM)、调频(FM)等调制解调电路。

5. 测试仪器与测量设备:因其稳定性和高频响应,常用于示波器、频谱分析仪等精密电子测试设备的前端模拟电路中。

综上,BFR31LT1G是一款高性能的小信号JFET,特别适合需要高频率、低噪声和良好线性度的模拟应用场景,广泛服务于通信、消费电子及工业测量领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 225MW SOT23

产品分类

JFET(结点场效应

FET类型

N 沟道

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

BFR31LT1G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的电压-截止(VGS关)

2.5V @ 0.5nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

1mA @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5pF @ 10V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

3,000

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

25V

电压-击穿(V(BR)GSS)

-

电阻-RDS(开)

-

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