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Datasheet下载- 型号： MMBFJ112
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ112由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ112价格参考￥0.85-￥2.40。Fairchild SemiconductorMMBFJ112封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 35V 350mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBFJ112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBFJ112是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小信号JFET，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大器：MMBFJ112具有较低的噪声系数，适合用于前置放大器电路，如音频放大器、传感器信号调理电路等，能有效提升信号的信噪比。 2. 模拟开关与调制电路：由于JFET具有良好的线性特性和快速开关能力，该器件可用于模拟信号开关、斩波电路或电压控制电阻应用。 3. 振荡器与射频电路：在高频小信号处理中，MMBFJ112可用于构建射频振荡器或缓冲放大器，适用于通信设备中的低功率射频信号处理。 4. 恒流源设计：JFET可作为简单的自偏置恒流源，广泛应用于LED驱动、偏置电路和测试仪器中。 5. 教育与实验电路：因其参数稳定、使用简单，常被用于电子类教学实验中，帮助学生理解FET的工作原理与基本放大电路设计。 MMBFJ112采用SOT-23小型封装，适合空间受限的便携式设备，如消费类电子产品、便携测量仪器和嵌入式系统。总体而言，该器件适用于需要高输入阻抗、低功耗和良好线性性能的模拟信号处理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 350MW SOT-23JFET N-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ112 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 35 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 35 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 4 mA to 20 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBFJ112TR |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 50 欧姆 |
| 系列 | MMBFJ112 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 35 V |
| 闸/源截止电压 | - 5 V |
| 零件号别名 | MMBFJ112_NL |
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