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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ111由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ111价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorMMBFJ111封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBFJ111参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ111 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBFJ111是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小型表面贴装器件,广泛应用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其典型应用场景包括: 1. 低噪声放大器:由于JFET具有较低的噪声系数,MMBFJ111常用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路中,尤其适用于微弱信号的放大。 2. 模拟开关与调制电路:凭借其电压控制特性,该器件可用于模拟信号的开关或衰减控制,如在通信系统中的信号路由或音量调节电路。 3. 振荡器与射频电路:在高频小信号应用中,MMBFJ111可用于构建射频振荡器或缓冲级,适用于无线通信设备中的本地振荡源。 4. 高输入阻抗输入级:在运算放大器或测量仪器的输入级中,利用其高输入阻抗特性,可减少对信号源的负载影响,提高测量精度。 5. 便携式电子设备:因其采用SOT-23小型封装,适合空间受限的应用,如手机、耳机放大器、便携式音频设备等。 综上,MMBFJ111凭借其低噪声、高输入阻抗和小型化优势,主要应用于音频处理、信号放大、通信系统及精密模拟电路中,特别适合对信号保真度要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 350MW SOT23JFET N-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ111- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ111 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 35 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 35 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 3V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 20mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBFJ111-ND |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 30 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS(开) | 30 欧姆 |
| 系列 | MMBFJ111 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 35 V |
| 闸/源截止电压 | - 10 V |
| 零件号别名 | MMBFJ111_NL |