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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMBD352WT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMBD352WT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMBD352WT1G封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 7V 10mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323。您可以下载NSVMMBD352WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSVMMBD352WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMBD352WT1G是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款二极管整流器阵列。这款器件主要用于电力电子领域,尤其适用于需要高效、可靠整流的应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: - 该型号的二极管整流器阵列常用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器等电源管理系统中。它能够有效地将交流电转换为直流电,确保电源系统的稳定性和效率。 2. 消费电子产品: - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的充电器中,NSVMMBD352WT1G可以提供高效的整流功能,帮助减少能量损失,延长电池寿命。 3. 通信设备: - 在基站、路由器和其他通信基础设施中,该整流器阵列可以用于电源模块,确保设备在不同工作条件下都能获得稳定的电源供应。 4. 工业自动化: - 工业控制系统和自动化设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等,NSVMMBD352WT1G可以用于电源部分,确保系统运行的稳定性和可靠性。 5. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车载充电器、逆变器、LED照明等应用中,该整流器阵列可以提供高效的整流功能,满足汽车电子对高可靠性和低功耗的要求。 特点与优势: - 低正向压降:NSVMMBD352WT1G具有较低的正向压降,能够在大电流下保持高效的工作性能,减少功率损耗。 - 高可靠性:该器件采用了先进的制造工艺,具有较高的抗浪涌能力和可靠性,适合在恶劣环境下使用。 - 小型化设计:其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景,如便携式设备和紧凑型电源模块。 总之,NSVMMBD352WT1G是一款高性能的二极管整流器阵列,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效、可靠整流的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 7V 10MA SOT323肖特基二极管与整流器 SS SHKY DIO 7V TR |
产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor NSVMMBD352WT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSVMMBD352WT1G |
不同If时的电压-正向(Vf) | 600mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 7V |
二极管类型 | 肖特基 |
二极管配置 | 1 对串联 |
产品 | Schottky Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
包装 | 带卷 (TR) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SC-70 |
峰值反向电压 | 7 V |
工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向电压下降 | 0.6 V at 0.01 A |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 7V |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 10mA(DC) |
系列 | MMBD352W |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
配置 | Dual Series |