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  • 型号: NSVMMBD352WT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMBD352WT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMBD352WT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMBD352WT1G封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 7V 10mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323。您可以下载NSVMMBD352WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSVMMBD352WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSVMMBD352WT1G是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款二极管整流器阵列。这款器件主要用于电力电子领域,尤其适用于需要高效、可靠整流的应用场景。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - 该型号的二极管整流器阵列常用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器等电源管理系统中。它能够有效地将交流电转换为直流电,确保电源系统的稳定性和效率。
   
2. 消费电子产品:
   - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的充电器中,NSVMMBD352WT1G可以提供高效的整流功能,帮助减少能量损失,延长电池寿命。
   
3. 通信设备:
   - 在基站、路由器和其他通信基础设施中,该整流器阵列可以用于电源模块,确保设备在不同工作条件下都能获得稳定的电源供应。
   
4. 工业自动化:
   - 工业控制系统和自动化设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等,NSVMMBD352WT1G可以用于电源部分,确保系统运行的稳定性和可靠性。
   
5. 汽车电子:
   - 在汽车电子系统中,如车载充电器、逆变器、LED照明等应用中,该整流器阵列可以提供高效的整流功能,满足汽车电子对高可靠性和低功耗的要求。

 特点与优势:

- 低正向压降:NSVMMBD352WT1G具有较低的正向压降,能够在大电流下保持高效的工作性能,减少功率损耗。
- 高可靠性:该器件采用了先进的制造工艺,具有较高的抗浪涌能力和可靠性,适合在恶劣环境下使用。
- 小型化设计:其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景,如便携式设备和紧凑型电源模块。

总之,NSVMMBD352WT1G是一款高性能的二极管整流器阵列,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效、可靠整流的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 7V 10MA SOT323肖特基二极管与整流器 SS SHKY DIO 7V TR

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor NSVMMBD352WT1G-

数据手册

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产品型号

NSVMMBD352WT1G

不同If时的电压-正向(Vf)

600mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

10µA @ 7V

二极管类型

肖特基

二极管配置

1 对串联

产品

Schottky Diodes

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SOT-323

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70

峰值反向电压

7 V

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

10 uA

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向电压下降

0.6 V at 0.01 A

电压-DC反向(Vr)(最大值)

7V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

10mA(DC)

系列

MMBD352W

速度

小信号 =< 200mA(Io),任意速度

配置

Dual Series

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