ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZXTP25020DFHTA
Datasheet下载- 型号： ZXTP25020DFHTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP25020DFHTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP25020DFHTA价格参考。Diodes Inc.ZXTP25020DFHTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 20V 4A 290MHz 1.25W 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载ZXTP25020DFHTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTP25020DFHTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTP25020DFHTA是一款NPN型双极晶体管（BJT），属于低电压、小信号应用类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电路： ZXTP25020DFHTA具有较低的饱和电压和较高的电流增益，适用于各种低功耗开关电路。例如，在消费电子设备中，用于控制LED指示灯或小型继电器。 2. 信号放大： 由于其出色的增益性能（hFE），该晶体管可以用于音频信号放大器或其他需要小信号放大的场合，如麦克风前置放大器。 3. 负载驱动： 可用于驱动小型直流电机、步进电机或电磁阀等负载，尤其是在电流需求较低的情况下。 4. 电平转换： 在不同逻辑电平之间进行转换时，该晶体管可以用作简单的电平移位器，例如将TTL信号转换为CMOS兼容信号。 5. 保护电路： 在过流保护或短路保护电路中，该晶体管可以作为关键元件之一，检测异常电流并触发保护机制。 6. 电源管理： 在一些简单的线性稳压器设计中，该晶体管可以用作调整管，帮助调节输出电压。 7. 通信设备： 在低功率射频（RF）模块中，可能用作信号调制或解调的一部分。 8. 汽车电子： 虽然主要针对消费级应用，但在某些汽车内部的小型传感器或控制单元中也可能使用此类晶体管。 总之，ZXTP25020DFHTA凭借其紧凑的封装形式（如SOT-23）和良好的电气特性，非常适合便携式设备、家用电器以及工业自动化领域中的多种低功耗应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP MED PWR 20V SOT23-3两极晶体管 - BJT PNP 20V HIGH GAIN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP25020DFHTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTP25020DFHTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 180mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXTP25020DFHCT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 290 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1810 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 900 at - 10 mA at - 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 at - 10 A at - 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 25 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 60 mV |
| 集电极连续电流 | - 4 A |
| 频率-跃迁 | 290MHz |
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