ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 > SMMUN2211LT1G
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2211LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2211LT1G价格参考¥0.18-¥0.18。ON SemiconductorSMMUN2211LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SMMUN2211LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMMUN2211LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SMMUN2211LT1G是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),属于NPN结构,采用小型SOT-23封装。该器件集成了内置偏置电阻(通常为基极串联和下拉电阻),简化了电路设计,无需外接偏置元件,适用于低功耗开关和信号放大应用。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:因其小尺寸和低功耗特性,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的LED驱动、电源管理开关或信号切换。 2. 消费类电子产品:如家用电器控制板、遥控器、传感器接口等,用于实现逻辑电平转换、继电器或指示灯驱动。 3. 工业控制与自动化:在微控制器I/O扩展、固态继电器驱动、传感器信号调理等场合中作为开关元件,提供可靠通断控制。 4. 通信设备:应用于接口电路中的信号放大与开关功能,如数据线路的通断控制。 5. 汽车电子:适合车载信息娱乐系统、车身控制模块(如车窗、灯光控制)等对空间和可靠性要求较高的环境。 SMMUN2211LT1G具有高增益、快速开关响应和良好的温度稳定性,且符合RoHS环保标准,适合自动化贴装生产。其集成电阻设计不仅节省PCB空间,还提高了电路一致性与抗干扰能力,是替代传统分立BJT加电阻组合的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SMMUN2211LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | SMMUN2211LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |