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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS8558SDC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS8558SDC价格参考¥9.60-¥9.60。Fairchild SemiconductorFDMS8558SDC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 38A(Ta),90A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) Dual Cool™56。您可以下载FDMS8558SDC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS8558SDC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS8558SDC是安森美(ON Semiconductor)推出的一款集成N沟道MOSFET的功率解决方案,属于晶体管-FET中的MOSFET单管类别。该器件将两个高性能MOSFET(通常为一个高边和一个低边)集成于单一封装中,优化了开关性能与热管理,广泛应用于需要高效、紧凑电源设计的场景。 其典型应用场景包括:笔记本电脑、超极本及平板电脑中的直流-直流(DC-DC)转换器,用于CPU或GPU的核心电压调节;服务器和通信设备中的多相降压变换器,支持高电流、低电压供电需求;此外,也适用于负载点电源(POL)转换系统,提供快速动态响应和高能效。 由于FDMS8558SDC具备低导通电阻(RDS(on))、高开关频率能力和优良的散热性能,特别适合空间受限但要求高功率密度的设计。同时,它在电池供电设备中可提升能源利用率,延长续航时间。总体而言,该器件适用于追求高效、小型化和高可靠性的现代电子电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFNMOSFET N-Channel PowerTrench SyncFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS8558SDCPowerTrench®, SyncFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS8558SDC |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 41 W |
| Pd-功率耗散 | 41 W |
| Qg-栅极电荷 | 81 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5118pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 毫欧 @ 33A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
| 其它名称 | FDMS8558SDCCT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power 33-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Ta), 90A (Tc) |
| 系列 | FDMS8558S |