ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRF151A
Datasheet下载- 型号： MRF151A
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF151A由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF151A价格参考。M/A-COMMRF151A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 50V 250mA 30MHz ~ 175MHz 13dB ~ 22dB 150W P-244。您可以下载MRF151A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF151A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF N-CH 50V 150W P-244射频MOSFET晶体管 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | MACOMM/A-Com Technology Solutions |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF151A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF151AMRF151A |
| Pd-PowerDissipation | 416 W |
| Pd-功率耗散 | 416 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 125 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | P-244 |
| 其它名称 | 1465-1154 |
| 功率-输出 | 150W |
| 功率耗散 | 416 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13 dB13dB ~ 22dB |
| 封装/外壳 | P-244 |
| 封装/箱体 | Case 244-4 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10 |
| 汲极/源极击穿电压 | 125 V |
| 漏极连续电流 | 16 A |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 类型 | Broadband RF Power FET |
| 输出功率 | 150 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 40 V |
| 频率 | 30MHz ~ 175MHz175 MHz |
| 额定电流 | 16A |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
