Datasheet下载- 型号： PN4391_D26Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PN4391_D26Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PN4391_D26Z价格参考。Fairchild SemiconductorPN4391_D26Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PN4391_D26Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PN4391_D26Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的PN4391_D26Z是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小信号JFET，常用于模拟电路中的放大与开关应用。其主要应用场景包括音频放大器、前置放大器和信号处理电路，因其具有低噪声和良好的线性特性，特别适合高保真音频设备。此外，该器件也广泛应用于传感器接口电路、运算放大器输入级以及需要高输入阻抗的模拟前端设计中。由于其稳定的电气性能和可靠的封装（通常为SOT-23），PN4391_D26Z还适用于便携式电子设备，如智能手机、耳机放大器和电池供电的测量仪器。在射频（RF）电路中，该JFET也可作为小信号放大或混频元件，适用于低功耗无线通信模块。总体而言，PN4391_D26Z凭借其优异的模拟性能，广泛服务于消费电子、工业控制和通信领域中的精密模拟信号处理需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 625MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PN4391_D26Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 4V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
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