Datasheet下载- 型号： TF202THC-4-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF202THC-4-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF202THC-4-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF202THC-4-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF202THC-4-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF202THC-4-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF202THC-4-TL-H 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于电压控制型器件，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 低噪声前置放大器：由于JFET具有较低的噪声系数和高输入阻抗，TF202THC-4-TL-H 常用于音频和射频信号的前置放大电路中，尤其适用于高保真音响设备和通信系统。 2. 模拟开关与多路复用器：该JFET可作为高速模拟开关使用，适用于数据采集系统、测试仪器和自动控制电路中的信号路由。 3. 射频（RF）电路：在射频信号处理电路中，如调制解调器、接收机前端，TF202THC-4-TL-H 可用于信号调节和增益控制。 4. 电压控制电阻应用：JFET可在可变电阻模式下工作，用于音量控制、滤波器调谐等模拟信号处理电路。 5. 传感器接口电路：因其高输入阻抗特性，适用于与高阻抗传感器（如某些压力、温度传感器）配合使用，以减少对传感器信号的影响。 综上，TF202THC-4-TL-H 主要应用于对噪声、功耗和稳定性有较高要求的模拟电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW VTFPJFET N-Channel JFET Elect Condenser Mics |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor TF202THC-4-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TF202THC-4-TL-H |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 240 uA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 200mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 140µA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 5V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | 3-VTFP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | TF202THC |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 20 V |
| 闸/源截止电压 | - 1 V |
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