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  • 型号: IRL530NPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRL530NPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL530NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL530NPBF价格参考¥2.65-¥2.91。International RectifierIRL530NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRL530NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL530NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 17A TO-220ABMOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL530NPBFHEXFET®

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产品型号

IRL530NPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

79 W

Pd-功率耗散

79 W

Qg-GateCharge

22.7 nC

Qg-栅极电荷

22.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

150 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

150 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRL530NPBF

功率-最大值

79W

功率耗散

79 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

150 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

22.7 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

17 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irl530n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irl530n.spi

闸/源击穿电压

16 V

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