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  • 型号: BUK7610-55AL,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7610-55AL,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7610-55AL,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7610-55AL,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7610-55AL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7610-55AL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V D2PAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 122A 3pin(2+Tab)

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

122 A

Id-连续漏极电流

122 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7610-55AL,118TrenchMOS™

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产品型号

BUK7610-55AL,118

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-GateCharge

124 nC

Qg-栅极电荷

124 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.4 V

上升时间

117 ns

下降时间

95 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

124nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9648-6

典型关闭延迟时间

132 ns

功率-最大值

300W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

SOT-404-3

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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